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NXP Semiconductors / Freescale

PHM12NQ20T,518

工場モデル PHM12NQ20T,518
メーカー NXP Semiconductors / Freescale
詳細な説明 MOSFET N-CH 200V 14.4A 8HVSON
パッケージ 8-HVSON (6x5)
株式 5591 pcs
データシート PHM12NQ20T
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのNXP Semiconductors / Freescaleシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5591のNXP Semiconductors / Freescale PHM12NQ20T,518の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 1mA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 8-HVSON (6x5)
シリーズ TrenchMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 130 mOhm @ 12A, 10V
電力消費（最大） 62.5W (Tc)
パッケージング Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース 8-VDFN Exposed Pad
他の名前 934057302518
PHM12NQ20T /T3
PHM12NQ20T /T3-ND
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1230pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 26nC @ 10V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 200V
詳細な説明 N-Channel 200V 14.4A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount 8-HVSON (6x5)
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 14.4A (Tc)

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