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PHB129NQ04LT,118 Image
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PHB129NQ04LT,118

工場モデル PHB129NQ04LT,118
メーカー NXP USA Inc.
詳細な説明 MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
パッケージ D2PAK
株式 4774 pcs
データシート PHB,PHP129NQ04LTAll Dev Label Update 15/Dec/2020NXP USA Inc REACHNXP USA Inc RoHS Cert
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのNXP USA Inc.シリーズの電子コンポーネントを専門としています。4774のNXP USA Inc. PHB129NQ04LT,118の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2V @ 1mA
Vgs（最大） ±15V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ D2PAK
シリーズ TrenchMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 5mOhm @ 25A, 10V
電力消費（最大） 200W (Tc)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 3965 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 44.2 nC @ 5 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 40 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 75A (Tc)
基本製品番号 PHB12

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