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NXP USA Inc.

PH5330E,115

工場モデル PH5330E,115
メーカー NXP USA Inc.
詳細な説明 MOSFET N-CH 30V 80A LFPAK56
パッケージ LFPAK56, Power-SO8
株式 4533 pcs
データシート All Dev Label Update 15/Dec/2020NXP USA Inc REACHNXP USA Inc RoHS Cert
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのNXP USA Inc.シリーズの電子コンポーネントを専門としています。4533のNXP USA Inc. PH5330E,115の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.5V @ 1mA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ LFPAK56, Power-SO8
シリーズ TrenchMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 5.7mOhm @ 15A, 10V
電力消費（最大） 62.5W (Tc)
パッケージ/ケース SC-100, SOT-669
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2010 pF @ 10 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 21 nC @ 5 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 30 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 80A (Tc)
基本製品番号 PH53

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