PDTD113ES,126
| 工場モデル | PDTD113ES,126 |
|---|---|
| メーカー | NXP Semiconductors / Freescale |
| 詳細な説明 | TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3 |
| パッケージ | TO-92-3 |
| 株式 | 6303 pcs |
| データシート | PDTD113E Series |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 50V |
| IB、IC @ Vce飽和（最大） | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| トランジスタ型式 | NPN - Pre-Biased |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-92-3 |
| シリーズ | - |
| 抵抗器ベース（R2） | 1 kOhms |
| 抵抗器 - ベース（R1） | 1 kOhms |
| 電力 - 最大 | 500mW |
| パッケージング | Tape & Box (TB) |
| パッケージ/ケース | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 他の名前 | 934059141126 PDTD113ES AMO PDTD113ES AMO-ND |
| 装着タイプ | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 詳細な説明 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3 |
| Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小） | 33 @ 50mA, 5V |
| 電流 - コレクタ遮断（最大） | 500nA |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 500mA |
| ベース部品番号 | PDTD113 |
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