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NXP Semiconductors / Freescale

PDTB123ES,126

工場モデル PDTB123ES,126
メーカー NXP Semiconductors / Freescale
詳細な説明 TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
パッケージ TO-92-3
株式 4678 pcs
データシート PDTB123E Series
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのNXP Semiconductors / Freescaleシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4678のNXP Semiconductors / Freescale PDTB123ES,126の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） 50V
IB、IC @ Vce飽和（最大） 300mV @ 2.5mA, 50mA
トランジスタ型式 PNP - Pre-Biased
サプライヤデバイスパッケージ TO-92-3
シリーズ -
抵抗器ベース（R2） 2.2 kOhms
抵抗器 - ベース（R1） 2.2 kOhms
電力 - 最大 500mW
パッケージング Tape & Box (TB)
パッケージ/ケース TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
製品属性 属性値
他の名前 934059142126
PDTB123ES AMO
PDTB123ES AMO-ND
装着タイプ Through Hole
水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
詳細な説明 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小） 40 @ 50mA, 5V
電流 - コレクタ遮断（最大） 500nA
電流 - コレクタ（Ic）（Max） 500mA
ベース部品番号 PDTB123

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