NX7002BKMBYL
| 工場モデル | NX7002BKMBYL |
|---|---|
| メーカー | NXP Semiconductors |
| 詳細な説明 | NEXPERIA NX7002B - 60V, N-CHANNE |
| パッケージ | DFN1006B-3 |
| 株式 | 3920226 pcs |
| データシート | NX7002BKMB |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 10158 |
|---|
| $0.011 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.1V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | DFN1006B-3 |
| シリーズ | TrenchMOS™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.8Ohm @ 200mA, 10V |
| 電力消費（最大） | 350mW (Ta), 3.1W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 3-XFDFN |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 23.6 pF @ 10 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 1 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 350mA (Ta) |
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