BUK9E08-55B,127
| 工場モデル | BUK9E08-55B,127 |
|---|---|
| メーカー | NXP Semiconductors |
| 詳細な説明 | NEXPERIA BUK9E08-55B - 75A, 55V, |
| パッケージ | I2PAK |
| 株式 | 5973 pcs |
| データシート | BUK9E08-55B |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 1mA |
| Vgs（最大） | ±15V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | I2PAK |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 7mOhm @ 25A, 10V |
| 電力消費（最大） | 203W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5280 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 45 nC @ 5 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 55 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 75A (Tc) |
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