Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > BUK769R6-80E,118
NXP USA Inc.

BUK769R6-80E,118

工場モデル BUK769R6-80E,118
メーカー NXP USA Inc.
詳細な説明 MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK
パッケージ D2PAK
株式 5735 pcs
データシート
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのNXP USA Inc.シリーズの電子コンポーネントを専門としています。5735のNXP USA Inc. BUK769R6-80E,118の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 1mA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ D2PAK
シリーズ Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 9.6mOhm @ 20A, 10V
電力消費（最大） 182W (Tc)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
パッケージ Bulk
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 4682 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 59.8 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 80 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 75A (Tc)

おすすめ商品

BUK769R6-80E,118 データテーブルPDF

BUK769R6-80E,118に関連した語彙

BUK769R6-80E,118関連コンポーネント