BUK6E2R0-30C127
工場モデル | BUK6E2R0-30C127 |
---|---|
メーカー | NXP USA Inc. |
詳細な説明 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
パッケージ | I2PAK |
株式 | 132117 pcs |
データシート | BUK6E2R0-30C |
提案された価格 (米ドルでの測定)
329 |
---|
$0.359 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.8V @ 1mA |
Vgs(最大) | ±16V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | I2PAK |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 2.2mOhm @ 25A, 10V |
電力消費(最大) | 306W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
パッケージ | Bulk |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 14964 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 229 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 120A (Tc) |
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