BUK652R0-30C,127
| 工場モデル | BUK652R0-30C,127 |
|---|---|
| メーカー | NXP USA Inc. |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB |
| パッケージ | TO-220AB |
| 株式 | 6062 pcs |
| データシート | MCU Dip Supply Situation 12/May/2015Multiple Devices 01/Jul/2014All Dev Label Update 15/Dec/2020NXP USA Inc REACHNXP USA Inc RoHS Cert |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのNXP USA Inc.シリーズの電子コンポーネントを専門としています。6062のNXP USA Inc. BUK652R0-30C,127の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.8V @ 1mA |
| Vgs（最大） | ±16V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB |
| シリーズ | TrenchMOS™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.2mOhm @ 25A, 10V |
| 電力消費（最大） | 306W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 14964 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 229 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 120A (Tc) |
| 基本製品番号 | BUK65 |
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