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NXP USA Inc.

BSP100,135

工場モデル BSP100,135
メーカー NXP USA Inc.
詳細な説明 MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT223
パッケージ SOT-223
株式 5607 pcs
データシート
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのNXP USA Inc.シリーズの電子コンポーネントを専門としています。5607のNXP USA Inc. BSP100,135の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.8V @ 1mA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ SOT-223
シリーズ TrenchMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 100mOhm @ 2.2A, 10V
電力消費（最大） 8.3W (Tc)
パッケージ/ケース TO-261-4, TO-261AA
パッケージ Bulk
製品属性 属性値
運転温度 -65°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 250 pF @ 20 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 6 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 30 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 3.2A (Ta)

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