A3G26H502W17SR3

工場モデル	A3G26H502W17SR3
メーカー	NXP USA Inc.
詳細な説明	AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,
パッケージ	NI-780-4S2S
株式	584 pcs
データシート	NXP USA Inc REACH NXP USA Inc RoHS Cert

提案された価格（米ドルでの測定）

250
$60.306

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規格

製品属性	属性値
電圧 - テスト	48 V
電圧 - 定格	125 V
技術	GaN
サプライヤデバイスパッケージ	NI-780-4S2S
シリーズ	-
電力出力	80W
パッケージ/ケース	NI-780-4S2S
パッケージ	Tape & Reel (TR)

製品属性	属性値
雑音指数	-
装着タイプ	Chassis Mount
利得	13.1dB
周波数	2.496GHz ~ 2.69GHz
現在の評価（AMP）	-
電流 - テスト	370 mA
コンフィギュレーション	2 N-Channel

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