A2G35S200-01SR3

工場モデル	A2G35S200-01SR3
メーカー	NXP USA Inc.
詳細な説明	AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
パッケージ	NI-400S-2S
株式	774 pcs
データシート	Mult Dev 25/May/2020 All Dev Label Update 15/Dec/2020 NXP USA Inc REACH NXP USA Inc RoHS Cert Mult Dev 14/Dec/2022

提案された価格（米ドルでの測定）

1
$51.302

納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのNXP USA Inc.シリーズの電子コンポーネントを専門としています。774のNXP USA Inc. A2G35S200-01SR3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性	属性値
電圧 - テスト	48 V
電圧 - 定格	125 V
技術	GaN HEMT
サプライヤデバイスパッケージ	NI-400S-2S
シリーズ	-
電力出力	180W
パッケージ/ケース	NI-400S-2S
パッケージ	Tape & Reel (TR)

製品属性	属性値
雑音指数	-
装着タイプ	Surface Mount
利得	16.1dB
周波数	3.4GHz ~ 3.6GHz
現在の評価（AMP）	-
電流 - テスト	291 mA
基本製品番号	A2G35

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