SSW4N60BTM

工場モデル	SSW4N60BTM
メーカー	Fairchild Semiconductor
詳細な説明	N-CHANNEL POWER MOSFET
パッケージ	D2PAK
株式	3791 pcs
データシート

提案された価格（米ドルでの測定）

納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのFairchild Semiconductorシリーズの電子コンポーネントを専門としています。3791のFairchild Semiconductor SSW4N60BTMの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性	属性値
同上@ VGS（TH）（最大）	4V @ 250µA
Vgs（最大）	±30V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ	D2PAK
シリーズ	-
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）	2.5Ohm @ 2A, 10V
電力消費（最大）	3.13W (Ta), 100W (Tc)
パッケージ/ケース	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
パッケージ	Bulk

製品属性	属性値
運転温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ	Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	920 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs	29 nC @ 10 V
FETタイプ	N-Channel
FET特長	-
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン	600 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	4A (Tc)

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