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Fairchild Semiconductor

RFP70N06

工場モデル RFP70N06
メーカー Fairchild Semiconductor
詳細な説明 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
パッケージ TO-220-3
株式 5580 pcs
データシート
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのFairchild Semiconductorシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5580のFairchild Semiconductor RFP70N06の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220-3
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 14mOhm @ 70A, 10V
電力消費（最大） 150W (Tc)
パッケージ/ケース TO-220-3
パッケージ Bulk
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2250 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 156 nC @ 20 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 60 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 70A (Tc)

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