HUF76419D3
工場モデル | HUF76419D3 |
---|---|
メーカー | Fairchild Semiconductor |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 60V 20A IPAK |
パッケージ | I-PAK |
株式 | 6429 pcs |
データシート |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 3V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±16V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | I-PAK |
シリーズ | UltraFET™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 37mOhm @ 20A, 10V |
電力消費(最大) | 75W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
パッケージ | Tube |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 900 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 27.5 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 60 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 20A (Tc) |
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