HGTP12N60A4D
工場モデル | HGTP12N60A4D |
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メーカー | Fairchild Semiconductor |
詳細な説明 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO |
パッケージ | TO-220-3 |
株式 | 54280 pcs |
データシート |
提案された価格 (米ドルでの測定)
165 |
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$0.698 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
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電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 600 V |
VGE、Icを@ VCE(上)(最大) | 2.7V @ 15V, 12A |
試験条件 | 390V, 12A, 10Ohm, 15V |
Td(オン/オフ)@ 25℃ | 17ns/96ns |
エネルギーの切り替え | 55µJ (on), 50µJ (off) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 |
シリーズ | - |
逆回復時間(trrの) | 30 ns |
電力 - 最大 | 167 W |
製品属性 | 属性値 |
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パッケージ/ケース | TO-220-3 |
パッケージ | Bulk |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
入力タイプ | Standard |
IGBTタイプ | - |
ゲートチャージ | 78 nC |
電流 - コレクタパルス(ICM) | 96 A |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 54 A |
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