FQP2NA90
工場モデル | FQP2NA90 |
---|---|
メーカー | Fairchild Semiconductor |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 900V 2.8A TO220-3 |
パッケージ | TO-220-3 |
株式 | 188603 pcs |
データシート |
提案された価格 (米ドルでの測定)
523 |
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$0.216 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのFairchild Semiconductorシリーズの電子コンポーネントを専門としています。188603のFairchild Semiconductor FQP2NA90の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 |
シリーズ | QFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 5.8Ohm @ 1.4A, 10V |
電力消費(最大) | 107W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-220-3 |
パッケージ | Tube |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 680 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 20 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 900 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 2.8A (Tc) |
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