FQD60N03LTM
工場モデル | FQD60N03LTM |
---|---|
メーカー | Fairchild Semiconductor |
詳細な説明 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
パッケージ | TO-252-3 (DPAK) |
株式 | 174217 pcs |
データシート |
提案された価格 (米ドルでの測定)
503 |
---|
$0.215 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 3V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±16V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-252-3 (DPAK) |
シリーズ | QFET™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 23mOhm @ 30A, 10V |
電力消費(最大) | 45W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
パッケージ | Bulk |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 900 pF @ 15 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 46 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 30A (Tc) |
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