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Fairchild Semiconductor

FGL35N120FTDTU

工場モデル FGL35N120FTDTU
メーカー Fairchild Semiconductor
詳細な説明 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
パッケージ HPM F2
株式 19983 pcs
データシート
提案された価格 （米ドルでの測定）
50
$2.242
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのFairchild Semiconductorシリーズの電子コンポーネントを専門としています。19983のFairchild Semiconductor FGL35N120FTDTUの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） 1200 V
VGE、Icを@ VCE（上）（最大） 2.2V @ 15V, 35A
試験条件 600V, 35A, 10Ohm, 15V
Td（オン/オフ）@ 25℃ 34ns/172ns
エネルギーの切り替え 2.5mJ (on), 1.7mJ (off)
サプライヤデバイスパッケージ HPM F2
シリーズ -
逆回復時間（trrの） 337 ns
電力 - 最大 368 W
製品属性 属性値
パッケージ/ケース TO-264-3, TO-264AA
パッケージ Bulk
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
入力タイプ Standard
IGBTタイプ Trench Field Stop
ゲートチャージ 210 nC
電流 - コレクタパルス（ICM） 105 A
電流 - コレクタ（Ic）（Max） 70 A

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