FGB5N60UNDF
工場モデル | FGB5N60UNDF |
---|---|
メーカー | Fairchild Semiconductor |
詳細な説明 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO |
パッケージ | TO-263AB (D²PAK) |
株式 | 3890 pcs |
データシート |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 600 V |
VGE、Icを@ VCE(上)(最大) | 2.4V @ 15V, 5A |
試験条件 | 400V, 5A, 10Ohm, 15V |
Td(オン/オフ)@ 25℃ | 5.4ns/25.4ns |
エネルギーの切り替え | 80µJ (on), 70µJ (off) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-263AB (D²PAK) |
シリーズ | - |
逆回復時間(trrの) | 35 ns |
電力 - 最大 | 73.5 W |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
パッケージ | Bulk |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力タイプ | Standard |
IGBTタイプ | NPT |
ゲートチャージ | 12.1 nC |
電流 - コレクタパルス(ICM) | 15 A |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 10 A |
基本製品番号 | FGB5N60 |
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