FDMS86369-F085
工場モデル | FDMS86369-F085 |
---|---|
メーカー | Fairchild Semiconductor |
詳細な説明 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N |
パッケージ | 8-PQFN (5x6) |
株式 | 5188 pcs |
データシート |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-PQFN (5x6) |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 7.5mOhm @ 65A, 10V |
電力消費(最大) | 107W (Tc) |
パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
パッケージ | Bulk |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2470 pF @ 40 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 46 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 80 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 65A (Tc) |
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