FDMA1025P
| 工場モデル | FDMA1025P |
|---|---|
| メーカー | Fairchild Semiconductor |
| 詳細な説明 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3 |
| パッケージ | 6-MicroFET (2x2) |
| 株式 | 294382 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1042 |
|---|
| $0.111 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.5V @ 250µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-MicroFET (2x2) |
| シリーズ | PowerTrench® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 155mOhm @ 3.1A, 4.5V |
| 電力 - 最大 | 700mW |
| パッケージ/ケース | 6-VDFN Exposed Pad |
| パッケージ | Bulk |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 450pF @ 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 4.8nC @ 4.5V |
| FET特長 | Logic Level Gate |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.1A |
| コンフィギュレーション | 2 P-Channel (Dual) |
| 基本製品番号 | FDMA1025 |
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