FDD6612A
| 工場モデル | FDD6612A |
|---|---|
| メーカー | Fairchild Semiconductor |
| 詳細な説明 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9 |
| パッケージ | TO-252, (D-Pak) |
| 株式 | 220640 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 598 |
|---|
| $0.205 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのFairchild Semiconductorシリーズの電子コンポーネントを専門としています。220640のFairchild Semiconductor FDD6612Aの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252, (D-Pak) |
| シリーズ | PowerTrench® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 20mOhm @ 9.5A, 10V |
| 電力消費（最大） | 2.8W (Ta), 36W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 660 pF @ 15 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 9.4 nC @ 5 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9.5A (Ta), 30A (Tc) |
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