FDD5N50NZFTM
工場モデル | FDD5N50NZFTM |
---|---|
メーカー | Fairchild Semiconductor |
詳細な説明 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3 |
パッケージ | TO-252, (D-Pak) |
株式 | 5776 pcs |
データシート |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±25V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-252, (D-Pak) |
シリーズ | UniFET-II™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 1.75Ohm @ 1.85A, 10V |
電力消費(最大) | 62.5W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
パッケージ | Bulk |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 485 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 12 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 500 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 3.7A (Tc) |
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