FDB8896
工場モデル | FDB8896 |
---|---|
メーカー | Fairchild Semiconductor |
詳細な説明 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8 |
パッケージ | D2PAK (TO-263) |
株式 | 136676 pcs |
データシート |
提案された価格 (米ドルでの測定)
330 |
---|
$0.341 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
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同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK (TO-263) |
シリーズ | PowerTrench® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 5.7mOhm @ 35A, 10V |
電力消費(最大) | 80W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
パッケージ | Bulk |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2525 pF @ 15 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 67 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 19A (Ta), 93A (Tc) |
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