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Fairchild Semiconductor

FCP22N60N

工場モデル FCP22N60N
メーカー Fairchild Semiconductor
詳細な説明 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
パッケージ TO-220-3
株式 6412 pcs
データシート
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのFairchild Semiconductorシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6412のFairchild Semiconductor FCP22N60Nの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 250µA
Vgs（最大） ±45V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220-3
シリーズ SupreMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 165mOhm @ 11A, 10V
電力消費（最大） 205W (Tc)
パッケージ/ケース TO-220-3
パッケージ Bulk
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1950 pF @ 100 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 45 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 600 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 22A (Tc)

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