FBG20N04ASH
工場モデル | FBG20N04ASH |
---|---|
メーカー | EPC Space, LLC |
詳細な説明 | GAN FET HEMT 200V 4A 4FSMD-A |
パッケージ | 4-SMD |
株式 | 296 pcs |
データシート | Facility Location Change 20/Jan/2023 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 |
---|---|
$165.29 | $160.318 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのEPC Space, LLCシリーズの電子コンポーネントを専門としています。296のEPC Space, LLC FBG20N04ASHの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.8V @ 1mA |
Vgs(最大) | +6V, -4V |
技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
サプライヤデバイスパッケージ | 4-SMD |
シリーズ | e-GaN® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 130mOhm @ 4A, 5V |
電力消費(最大) | - |
パッケージ/ケース | 4-SMD, No Lead |
パッケージ | Bulk |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 150 pF @ 100 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 3 nC @ 5 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 200 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 4A (Tc) |
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