EPC8009ENGR
工場モデル | EPC8009ENGR |
---|---|
メーカー | EPC |
詳細な説明 | TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE |
パッケージ | |
株式 | 4373 pcs |
データシート | EPC8009 Preliminary DatasheeteGaN® FET Brief |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのEPCシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4373のEPC EPC8009ENGRの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
電圧 - テスト | 47pF @ 32.5V |
電圧 - ブレークダウン | Die |
同上@ VGS(TH)(最大) | 138 mOhm @ 500mA, 5V |
技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
シリーズ | eGaN® |
RoHSステータス | Tray |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 4.1A (Ta) |
偏光 | Die |
他の名前 | 917-EPC8009ENGR EPC8009ENGG |
運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
製造元の部品番号 | EPC8009ENGR |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 0.38nC @ 5V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 2.5V @ 250µA |
FET特長 | N-Channel |
拡張された説明 | N-Channel 65V 4.1A (Ta) Surface Mount Die |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | - |
説明 | TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 65V |
静電容量比 | - |
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