HER306T/R
工場モデル | HER306T/R |
---|---|
メーカー | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
詳細な説明 | DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD |
パッケージ | DO-201AD |
株式 | 451022 pcs |
データシート |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1250 |
---|
$0.082 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのEIC SEMICONDUCTOR INC.シリーズの電子コンポーネントを専門としています。451022のEIC SEMICONDUCTOR INC. HER306T/Rの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.7 V @ 3 A |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 600 V |
技術 | Standard |
サプライヤデバイスパッケージ | DO-201AD |
速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
シリーズ | - |
逆回復時間(trrの) | 75 ns |
製品属性 | 属性値 |
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パッケージ/ケース | DO-201AD, Axial |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
動作温度 - ジャンクション | -65°C ~ 150°C |
装着タイプ | Through Hole |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 10 µA @ 600 V |
電流 - 平均整流(イオ) | 3A |
Vrと、F @キャパシタンス | 50pF @ 4V, 1MHz |
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