1N5393T/R

工場モデル	1N5393T/R
メーカー	EIC SEMICONDUCTOR INC.
詳細な説明	DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO41
パッケージ	DO-41
株式	2483575 pcs
データシート

提案された価格（米ドルでの測定）

5000
$0.015

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規格

製品属性	属性値
電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@	1.1 V @ 1.5 A
電圧 - 逆（VR）（最大）	200 V
技術	Standard
サプライヤデバイスパッケージ	DO-41
速度	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
シリーズ	-
パッケージ/ケース	DO-204AL, DO-41, Axial

製品属性	属性値
パッケージ	Tape & Reel (TR)
動作温度 - ジャンクション	-65°C ~ 175°C
装着タイプ	Through Hole
電流 - 漏れ@ Vrとリバース	5 µA @ 200 V
電流 - 平均整流（イオ）	1.5A
Vrと、F @キャパシタンス	15pF @ 4V, 1MHz

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