1N4935BULK

工場モデル	1N4935BULK
メーカー	EIC SEMICONDUCTOR INC.
詳細な説明	DIODE GEN PURP 200V 1A DO41
パッケージ	DO-41
株式	531269 pcs
データシート

提案された価格（米ドルでの測定）

1000
$0.072

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規格

製品属性	属性値
電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@	1.2 V @ 1 A
電圧 - 逆（VR）（最大）	200 V
技術	Standard
サプライヤデバイスパッケージ	DO-41
速度	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
シリーズ	-
逆回復時間（trrの）	150 ns

製品属性	属性値
パッケージ/ケース	DO-204AL, DO-41, Axial
パッケージ	Bag
動作温度 - ジャンクション	-65°C ~ 150°C
装着タイプ	Through Hole
電流 - 漏れ@ Vrとリバース	5 µA @ 200 V
電流 - 平均整流（イオ）	1A
Vrと、F @キャパシタンス	15pF @ 4V, 1MHz

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