ZXMN3A06DN8TA
| 工場モデル | ZXMN3A06DN8TA |
|---|---|
| メーカー | Diodes Incorporated |
| 詳細な説明 | MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC |
| パッケージ | 8-SO |
| 株式 | 112261 pcs |
| データシート | ZXMN3A06DN8Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021Diodes Environmental Compliance Cert |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 |
|---|---|---|
| $0.435 | $0.39 | $0.304 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA (Min) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 35mOhm @ 9A, 10V |
| 電力 - 最大 | 1.8W |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 796pF @ 25V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 17.5nC @ 10V |
| FET特長 | Logic Level Gate |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4.9A |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
| 基本製品番号 | ZXMN3 |
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