ZVN2110GTA
工場モデル | ZVN2110GTA |
---|---|
メーカー | Diodes Incorporated |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V 500MA SOT223 |
パッケージ | SOT-223-3 |
株式 | 220938 pcs |
データシート | Date Code Mark Update 13/Jan/2015Diodes Environmental Compliance CertZVN2110G |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 |
---|---|---|---|
$0.347 | $0.309 | $0.241 | $0.199 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.4V @ 1mA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | SOT-223-3 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 4Ohm @ 1A, 10V |
電力消費(最大) | 2W (Ta) |
パッケージ/ケース | TO-261-4, TO-261AA |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 75 pF @ 25 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 500mA (Ta) |
基本製品番号 | ZVN2110 |
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