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VN10LPSTZ Image
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VN10LPSTZ

工場モデル VN10LPSTZ
メーカー Diodes Incorporated
詳細な説明 MOSFET VMOS N-CHAN TO92-3
パッケージ E-Line (TO-92 compatible)
株式 439447 pcs
データシート VN10LPSTZDiodes Environmental Compliance Cert
提案された価格 （米ドルでの測定）
2000 6000 10000
$0.12 $0.112 $0.108
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのDiodes Incorporatedシリーズの電子コンポーネントを専門としています。439447のDiodes Incorporated VN10LPSTZの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.5V @ 1mA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ E-Line (TO-92 compatible)
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 5Ohm @ 500mA, 10V
電力消費（最大） 625mW (Ta)
パッケージ/ケース E-Line-3, Formed Leads
パッケージ Tape & Box (TB)
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 60 pF @ 25 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 60 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 270mA (Ta)

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