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NMSD200B01-7 Image
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NMSD200B01-7

工場モデル NMSD200B01-7
メーカー Diodes Incorporated
詳細な説明 MOSFET N-CH 60V 200MA SOT363
パッケージ SOT-363
株式 6829 pcs
データシート Mult Dev Assembly Chgs 5/May/2020Diodes Environmental Compliance CertNMSD200B01-7
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのDiodes Incorporatedシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6829のDiodes Incorporated NMSD200B01-7の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 3V @ 1mA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ SOT-363
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 3Ohm @ 50mA, 5V
電力消費（最大） 200mW (Ta)
パッケージ/ケース 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 50 pF @ 25 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 Schottky Diode (Isolated)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 60 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 200mA (Ta)

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