HTMN5130SSD-13
工場モデル | HTMN5130SSD-13 |
---|---|
メーカー | Diodes Incorporated |
詳細な説明 | MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC |
パッケージ | 8-SO |
株式 | 129560 pcs |
データシート | HTMN5130SSDDiodes Environmental Compliance Cert |
提案された価格 (米ドルでの測定)
2500 | 5000 | 12500 |
---|---|---|
$0.305 | $0.293 | $0.282 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 3V @ 250µA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 130mOhm @ 3A, 10V |
電力 - 最大 | 1.7W |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 218.7pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 8.9nC @ 10V |
FET特長 | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 55V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 2.6A |
コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
基本製品番号 | HTMN5130 |
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