DXTN5860DFDB-7
工場モデル | DXTN5860DFDB-7 |
---|---|
メーカー | Diodes Incorporated |
詳細な説明 | SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020- |
パッケージ | U-DFN2020-3 (Type B) |
株式 | 479004 pcs |
データシート | Diodes Environmental Compliance CertDXTN5860DFDB |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.205 | $0.174 | $0.13 | $0.102 | $0.079 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 60 V |
IB、IC @ Vce飽和(最大) | 315mV @ 300mA, 6A |
トランジスタ型式 | NPN |
サプライヤデバイスパッケージ | U-DFN2020-3 (Type B) |
シリーズ | - |
電力 - 最大 | 690 mW |
パッケージ/ケース | 3-UDFN Exposed Pad |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
周波数 - トランジション | 115MHz |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | 280 @ 500mA, 2V |
電流 - コレクタ遮断(最大) | 100nA |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 6 A |
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