DMWS120H100SM4
| 工場モデル | DMWS120H100SM4 |
|---|---|
| メーカー | Diodes Incorporated |
| 詳細な説明 | SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 |
| パッケージ | TO-247-4 |
| 株式 | 6321 pcs |
| データシート | DMWS120H100SM4 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 |
|---|---|---|---|
| $7.432 | $6.829 | $5.768 | $5.131 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのDiodes Incorporatedシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6321のDiodes Incorporated DMWS120H100SM4の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.5V @ 5mA |
| Vgs（最大） | +19V, -8V |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-4 |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 100mOhm @ 20A, 15V |
| 電力消費（最大） | 208W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-247-4 |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1516 pF @ 1000 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 52 nC @ 15 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 15V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1200 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 37.2A (Tc) |
| 基本製品番号 | DMWS120 |
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