DMTH8008SPSQ-13
工場モデル | DMTH8008SPSQ-13 |
---|---|
メーカー | Diodes Incorporated |
詳細な説明 | MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50 |
パッケージ | PowerDI5060-8 |
株式 | 244403 pcs |
データシート | Diodes Environmental Compliance CertDMTH8008SPSQ |
提案された価格 (米ドルでの測定)
2500 | 5000 | 12500 |
---|---|---|
$0.174 | $0.165 | $0.159 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 1mA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerDI5060-8 |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101 |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 7.8mOhm @ 14A, 10V |
電力消費(最大) | 1.6W (Ta), 100W (Tc) |
パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1950 pF @ 40 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 34 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 6V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 80 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 92A (Tc) |
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