DMT12H060LCA9-7
| 工場モデル | DMT12H060LCA9-7 |
|---|---|
| メーカー | Diodes Incorporated |
| 詳細な説明 | MOSFET BVDSS: 101V~250V X4-DSN15 |
| パッケージ | X2-DSN1515-9 |
| 株式 | 276940 pcs |
| データシート | DMT12H060LCA9 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 3000 |
|---|
| $0.139 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±5.5V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | X2-DSN1515-9 |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 85mOhm @ 3A, 4.5V |
| 電力消費（最大） | 1.1W (Ta) |
| パッケージ/ケース | 9-SMD, No Lead |
| パッケージ | Bulk |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 560 pF @ 50 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 8 nC @ 5 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.5V, 4.5V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 115 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.5A (Ta) |
| 基本製品番号 | DMT12 |
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