DMP2006UFGQ-7
工場モデル | DMP2006UFGQ-7 |
---|---|
メーカー | Diodes Incorporated |
詳細な説明 | MOSFET P-CH 20V PWRDI3333 |
パッケージ | PowerDI3333-8 |
株式 | 267700 pcs |
データシート | Diodes Environmental Compliance CertAdditional Assembly/Test Site 24/Aug/2021DMP2006UFGQ |
提案された価格 (米ドルでの測定)
2000 | 6000 | 10000 |
---|---|---|
$0.146 | $0.138 | $0.133 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 1V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±10V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerDI3333-8 |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101 |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 5.5mOhm @ 15A, 4.5V |
電力消費(最大) | 2.3W (Ta), 41W (Tc) |
パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 7500 pF @ 10 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 200 nC @ 10 V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 1.5V, 4.5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 17.5A (Ta), 40A (Tc) |
基本製品番号 | DMP2006 |
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