Components-House.comへようこそ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > DMN6010SCTB-13
Diodes Incorporated

DMN6010SCTB-13

工場モデル DMN6010SCTB-13
メーカー Diodes Incorporated
詳細な説明 MOSFET BVDSS: 41V~60V TO263 T&R
パッケージ TO-263AB (D²PAK)
株式 86307 pcs
データシート Diodes Environmental Compliance CertDMN6010SCTB
提案された価格 (米ドルでの測定)
800 1600 2400 5600
$0.65 $0.548 $0.521 $0.501
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのDiodes Incorporatedシリーズの電子コンポーネントを専門としています。86307のDiodes Incorporated DMN6010SCTB-13の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 4V @ 1mA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-263AB (D²PAK)
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 10mOhm @ 25A, 10V
電力消費(最大) 5W (Ta), 312W (Tc)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 2692 pF @ 25 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 46 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 60 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 128A (Tc)
基本製品番号 DMN6010

おすすめ商品

DMN6010SCTB-13 データテーブルPDF

データシート