DMN3731UFB4-7B
工場モデル | DMN3731UFB4-7B |
---|---|
メーカー | Diodes Incorporated |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 30V 1.2A 3DFN |
パッケージ | X2-DFN1006-3 |
株式 | 2521843 pcs |
データシート | Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021Diodes Environmental Compliance CertDMN3731UFB4 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 | 5000 |
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$0.123 | $0.099 | $0.053 | $0.035 | $0.024 | $0.021 | $0.018 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 950mV @ 250µA |
Vgs(最大) | ±8V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | X2-DFN1006-3 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 460mOhm @ 200mA, 4.5V |
電力消費(最大) | 520mW (Ta) |
パッケージ/ケース | 3-XFDFN |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 73 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 5.5 nC @ 4.5 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 1.8V, 4.5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 1.2A (Ta) |
基本製品番号 | DMN3731 |
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