DMN3016LDN-13
工場モデル | DMN3016LDN-13 |
---|---|
メーカー | Diodes Incorporated |
詳細な説明 | MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8 |
パッケージ | V-DFN3030-8 (Type J) |
株式 | 568496 pcs |
データシート | DMN3016LDNMult Dev A/T Site 31/Mar/2021Diodes Environmental Compliance Cert |
提案された価格 (米ドルでの測定)
10000 | 30000 | 50000 |
---|---|---|
$0.067 | $0.064 | $0.062 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2V @ 250µA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | V-DFN3030-8 (Type J) |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 20mOhm @ 11A, 10V |
パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1415pF @ 15V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 11.3nC @ 4.5V |
FET特長 | - |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 9.2A (Ta) |
コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
基本製品番号 | DMN3016 |
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