DMN21D2UFB-7
| 工場モデル | DMN21D2UFB-7 |
|---|---|
| メーカー | Diodes Incorporated |
| 詳細な説明 | MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006- |
| パッケージ | X1-DFN1006-3 |
| 株式 | 1879044 pcs |
| データシート | Diodes Environmental Compliance CertDMN21D2UFB |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 3000 | 6000 | 15000 | 30000 | 75000 | 150000 |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.032 | $0.031 | $0.028 | $0.026 | $0.023 | $0.022 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±12V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | X1-DFN1006-3 |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 990mOhm @ 100mA, 4.5V |
| 電力消費（最大） | 380mW (Ta) |
| パッケージ/ケース | 3-UFDFN |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 27.6 pF @ 16 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 0.93 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.5V, 4.5V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 760mA (Ta) |
| 基本製品番号 | DMN21 |
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