DMN2030UCA4-7
工場モデル | DMN2030UCA4-7 |
---|---|
メーカー | Diodes Incorporated |
詳細な説明 | MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN1111- |
パッケージ | X4-DSN1111-4 |
株式 | 810141 pcs |
データシート | DMN2030UCA4 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
3000 |
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$0.052 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.4V @ 160µA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | X4-DSN1111-4 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 32mOhm @ 1.7A, 4.5V |
電力 - 最大 | 1W (Ta) |
パッケージ/ケース | 4-XFBGA, DSBGA |
パッケージ | Bulk |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 523pF @ 10V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 5.6nC @ 10V |
FET特長 | Standard |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 6.3A (Ta) |
コンフィギュレーション | 2 N-Channel |
基本製品番号 | DMN2030 |
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