DMHT10H032LFJ-13
| 工場モデル | DMHT10H032LFJ-13 |
|---|---|
| メーカー | Diodes Incorporated |
| 詳細な説明 | MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN5045 |
| パッケージ | V-DFN5045-12 (Type C) |
| 株式 | 219124 pcs |
| データシート | Diodes Environmental Compliance CertDMHT10H032LFJ |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 3000 | 6000 | 15000 |
|---|---|---|
| $0.192 | $0.182 | $0.175 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | V-DFN5045-12 (Type C) |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 33mOhm @ 6A, 10V |
| 電力 - 最大 | 900mW |
| パッケージ/ケース | 12-PowerVDFN |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 683pF @ 50V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 11.9nC @ 10V |
| FET特長 | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6A (Ta) |
| コンフィギュレーション | 4 N-Channel (Half Bridge) |
| 基本製品番号 | DMHT10 |
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