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DGD2190MS8-13

工場モデル DGD2190MS8-13
メーカー Diodes Incorporated
詳細な説明 IC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5K
パッケージ 8-SO
株式 141711 pcs
データシート Assembly Site 01/Dec/2022DGD2190MDiodes Environmental Compliance Cert
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 25 100 250 500 1000
$0.63 $0.566 $0.534 $0.455 $0.427 $0.374 $0.31
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのDiodes Incorporatedシリーズの電子コンポーネントを専門としています。141711のDiodes Incorporated DGD2190MS8-13の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
電源電圧 - 10V ~ 20V
サプライヤデバイスパッケージ 8-SO
シリーズ -
立上り/立下り時間(Typ) 25ns, 20ns
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -40°C ~ 125°C (TA)
入力周波数 2
装着タイプ Surface Mount
製品属性 属性値
ロジック電圧 - VIL、VIH 0.8V, 2.5V
入力タイプ Non-Inverting
ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ) 600 V
ゲートタイプ IGBT, N-Channel MOSFET
駆動構成 Half-Bridge
電流 - ピーク出力(ソース、シンク) 4.5A, 4.5A
ベース・エミッタ間飽和電圧(最大) Independent
基本製品番号 DGD2190

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DGD2190MS8-13 データテーブルPDF

データシート