BSS8402DWQ-7
工場モデル | BSS8402DWQ-7 |
---|---|
メーカー | Diodes Incorporated |
詳細な説明 | MOSFET N/P-CH 60V/50V |
パッケージ | SOT-363 |
株式 | 702645 pcs |
データシート | Mult Dev 04/Dec/2020Diodes Environmental Compliance CertBSS8402DW Datasheet |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.164 | $0.142 | $0.106 | $0.083 | $0.064 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 250µA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | SOT-363 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 13.5Ohm @ 500mA, 10V |
電力 - 最大 | 200mW |
パッケージ/ケース | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 50pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | - |
FET特長 | Logic Level Gate |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 60V, 50V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 115mA, 130mA |
コンフィギュレーション | N and P-Channel |
基本製品番号 | BSS8402 |
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